美东时间周二 ，美股三大指数集体下跌 ，截至发稿，道琼斯指数跌1.06% 、纳斯达克指数跌0.11% 、标普500指数跌0.35% 。
大型科技股多数下跌，特斯拉涨3.91%、谷歌-A跌0.13%、Meta跌0.14% 、亚马逊跌0.48% 、苹果跌1.30%、微软跌1.40% 、英伟达跌1.83% 。
美股光通信板块持续走强 ，Lumentum涨11.93% 、康宁涨9.69%、Coherent涨9.19% 、应用光电涨9.13%。存储概念股普涨 ，SK海力士涨6.72% 、希捷科技涨4.84%、闪迪涨3.56% 、西部数据涨2.29% 、美光科技涨0.94%。
热门中概股多数下跌，纳斯达克中国金龙指数跌1.99% ，京东跌2.83%、拼多多跌3.49% 、百度跌8.69% 。
个股方面 ，高通涨3.46%，公司与亚马逊达成协议 ，共同建设人工智能数据中心基础设施 。英特尔涨9.65% ，供应链人士透露，10月5日 ，英特尔PC CPU预计将再度涨价10%。
全球要闻日元突破心理防线 全球美元敞口风险飙升
汇率再成全球变数！近两个交易日 ，日元持续暴拉，并突破155的“心理防线” 。随着非美货币的飙升 ，美元指数亦持续下行 ，并跌破99，这就衍生出了另一个问题：一些规模巨大的美国资产（包括养老金和保险机构）持有者，几乎没有抵御美元走弱的保护措施 。如果市场情绪突然转变 ，美元将面临更大幅度的杀跌风险。
世界 大行集体押注美联储9月加息 德银：遏制通胀所需紧缩力度被低估
尽管全球通胀居高不下 ，但市场却押注美欧央行加息空间有限 。对此，德意志银行策略师Henry Allen认为 ，从费用 面临的上行压力来分析 ，投资者低估了遏制通胀所需的加息幅度 。他表示，一边是对美联储和欧洲央行加息有限的展望 ，一边却是不断攀升的通胀压力 ，但这种“根本性脱节 ”看来无法持续。
黑天鹅突袭！市场猛烈抛售 德国传来大消息
德国政坛“大地震 ” 。受政治前景不确定性上升的影响，德国国债市场遭遇猛烈抛售 ，德国两年期国债收益率周一一度升至3% ，德国十年期国债收益率日内一度升至3.3863% 。消息面上，在德国东部萨安州州议会选举中 ，极右翼政党德国选取 党以43.8%得票率赢得胜利 ，相较5年前得票率翻倍。许多媒体称，德国选取 党的胜利是德国政坛的一场“地震” 。
伦铜创下历史新高！美国“抢铜”叠加智利供应受扰 铜市紧张格局升级
LME铜周一飙升至历史比较高 水平，受特朗普政府可能出台铜关税政策的影响 ，美国买家正从海运市场采购创纪录的铜 ，导致其他地区市场供应紧张 。行情数据显示，LME三个月期铜刷新1月创下的纪录 ，年内累计上涨近17%。此次铜价上涨 ，是长期结构性需求增长 、供应增速缓慢、关税因素引发的库存重新配置以及投机性买盘共同作用的结果。
中东突发！沙特多处能源设施遭袭 胡塞武装：沙特“没有安全之地 ”！
下午好，来关注下中东局势 。据央视新闻消息 ，沙特能源部9月8日称 ，沙特南部地区多处能源设施及公用设施遭到也门胡塞武装袭击，多处地点起火 ，部分设施的运营暂时中断 。沙特能源部表示 ，正努力确保设施和人员安全，并保障运营的连续性。
公司新闻存储芯片议价权生变：据称苹果罕见签下NAND长协 不设费用 上限
存储芯片费用 持续上行 ，议价权正在易手 。据媒体报道 ，苹果近日一改与芯片供应商短期议价的惯例，转向多年期长协，让渡部分议价空间以换取供应确定性 。据媒体当地时间9月7日报道 ，苹果近期或已就NAND闪存供应签订长期供货协议（LTA）。
高通与亚马逊达成协议 共同建设人工智能数据中心基础设施
高通与亚马逊达成协议 ，共同建设人工智能数据中心基础设施，将合作开发高达1.6T的光互联解决方案 。高通科技与亚马逊还将合作开发高性能光连接解决方案 ，以支持AI基础设施日益增长的规模和带宽需求 。
特斯拉迎来历史最低价 Model 3减5000元、Model Y减1万元
9月7日 ，特斯拉中国通过官方微博宣布启动新一轮限时购车现金激励政策。具体来看，公告发布之日起至2026年9月30日（含）前下单并提车的消费者 ，Model 3全系（含高性能版）现车可享现金激励5000元 ，Model Y全系（含Model Y L）现车可享现金激励10000元 。该政策仅面向现车资源，定制排产订单不参与此次活动 。
AI需求挤占产能 英特尔或上调PC端CPU费用 10% 陈立武战略正在生效？
据台湾《电子时报》 ，供应链人士透露 ，2026年10月5日，英特尔PC CPU预计将再度涨价10%。与此同时 ，毛利率偏低的小核产品线或将启动停产退市（EOL） 。通过砍掉低毛利产品优化盈利结构 ，是英特尔CEO陈立武本轮战略调整的核心思路 。
阿斯麦赢得台积电和三星承诺 使用其新一代EUV光刻机
9月8日，荷兰光刻机制造商阿斯麦（ASML）连续发布三项公告，宣布与台积电 、三星电子及英特尔晶圆代工（Intel Foundry）推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。其中 ，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产。
